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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
23.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
69
Por volta de -165% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
19.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
4276
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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