RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
39
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3035
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link