RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3035
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link