RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 23.1
    测试中的平均数值
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 69
    左右 -165% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    19.0 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    4,217.2 left arrow 23.1
  • 写入速度，GB/s
    1,857.7 left arrow 19.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 4276

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB RAM的比较

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
内存RAM