RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
69
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2256
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link