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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
69
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
6.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2256
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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