RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2256
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link