RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3705
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link