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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3705
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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