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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
17.6
写入速度,GB/s
1,950.7
15.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3705
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
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