RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
58
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2566
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link