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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
58
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2566
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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