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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
2960
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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