RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
58
Autour de -66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2566
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link