RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3015
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link