RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
46
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2807
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link