RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
46
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3177
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link