RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3177
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link