RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3756
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link