RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3087
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link