RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3386
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link