RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3386
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link