RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2421
3036
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link