RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3660
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link