RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
68
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
68
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2007
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link