RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2443
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link