RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
74
Wokół strony -289% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3314
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link