RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
74
Autour de -289% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3314
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link