RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
4084
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link