RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3421
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link