RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3421
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link