RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3288
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link