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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3288
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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