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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
85
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
6.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1118
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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