Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    46 left arrow 85
    Intorno 46% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.0 left arrow 1,519.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 3200
    Intorno 6.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 85
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,909.8 left arrow 11.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,519.2 left arrow 6.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    241 left arrow 1118
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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