RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
46
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2525
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link