RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2737
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Transcend Information JM800QLU-2G 2GB
Crucial Technology RM25664AA800.16FH 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link