RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
9.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2402
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link