RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3467
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link