RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3467
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link