RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3111
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link