RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3111
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link