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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
46
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2082
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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