RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
46
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
7.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2082
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link