RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
96
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
6.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
4.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
992
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link