RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3013
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link