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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2436
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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