RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2584
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link