RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2196
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link