RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2196
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link