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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
14.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
65
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
14.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
3268
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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